DOS系统在实方式下工作，它管理的内存空间仍为1MB，因此它不能直接使用扩展存储器。 为此，Lotus、Intel、AST及Microsoft公司建立了MS－DOS下扩展内存的使用标准，即扩展内存规范XMS。 我们常在Config.sys文件中看到的Himem.sys就是管理扩展内存的驱动程序。 内存是计算机的重要部件，也称内存储器和主存储器，它用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。 它是外存与CPU进行沟通的桥梁，计算机中所有程序的运行都在内存中进行，内存性能的强弱影响计算机整体发挥的水平。 只要计算机开始运行，操作系统就会把需要运算的数据从内存调到CPU中进行运算，当运算完成，CPU将结果传送出来。
这样在一定程度上，对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高，同时也保证了更优秀的品质。 CL是CAS Latency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。 内存慢而主板快，会影响CPU的速度，还有可能导致系统崩溃；内存快而主板慢，结果只能是大材小用造成资源浪费。
16g 記憶體: 内存DDR时代
DDR SDRAM (简称DDR内存)一个时钟脉冲传输两次数据，分别在时钟脉冲的上升沿和下降沿各传输一次数据，因此称为双倍速率的SDRAM。 DRAM( Dynamic RAM，动态随机存储器)的存储单元是由电容和相关元件做成的，电容内存储电荷的多寡代表信号0和1。 电容存在漏电现象，电荷不足会导致存储单元数据出错，所以DRAM需要周期性刷新，以保持电荷状态。 DRAM结构较简单且集成度高，通常用于制造内存条中的存储芯片。
SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使CPU和RAM能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据，速度比EDO内存提高50%。 采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。 部分厂商已经推出1.35V的低压版DDR3内存。 DDR3目前最高能够达到2000Mhz的速度，尽管目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz / 1066Mhz的速度，但是DDR3内存模组仍会从1066Mhz起跳。 Intel推出PC-100后，由于技术的发展，PC-100内存的800MB/s带宽不能满足更大的需求。
16g 記憶體: 内存按工作原理分类
因此在设置CMOS参数时，应将相应的Shadow区设为允许使用（Enabled）。 UMB（Upper Memory Blocks）称为上位内存或上位内存块。 它是由挤占保留内存中剩余未用的空间而产生的，它的物理存储器仍然取自物理的扩展存储器，它的管理驱动程序是EMS驱动程序。 VCM内存主要根据由NEC公司开发的一种“缓存式DRAM”技术制造而成。
DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。 VCM与SDRAM的差别在于不论是否经过CPU处理的数据，都可先交于VCM进行处理，而普通的SDRAM就只能处理经CPU处理以后的数据，所以VCM要比SDRAM处理数据的速度快20%以上。 内存技术在2005年将会毫无悬念，SDRAM为代表的静态内存在五年内不会普及。 QBM与RDRAM内存也难以挽回颓势，因此DDR与DDR2共存时代将是铁定的事实。 高端的DDR2内存将拥有800、1000MHz两种频率。 DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。
它集成了“通道缓存”，由高速寄存器进行配置和控制。 此外，DDR2 将融入CAS、OCD、ODT 等新性能指标和中断指令，提升内存带宽的利用率。 从JEDEC组织者阐述的DDR2标准来看，针对PC等市场的DDR2内存将拥有400、533、667MHz等不同的时钟频率。 DDR2 能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少400MB/s 的带宽，而且其接口将运行于1.8V 电压上，从而进一步降低发热量，以便提高频率。 2017年还有不少赛扬和AMD K7处理器都在采用DDR266规格的内存，其后来的DDR333内存也属于一种过渡。
通常，我们把要永久保存、大量数据存储在外存上，把一些临时或少量的数据和程序放在内存上。 我们平常使用的程序，如：Windows操作系统、打字软件、游戏软件等。 一般安装在硬盘等外存上，但仅此是不能使用其功能，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能。 目前主流DDR内存分为DDR266、DDR333以及DDR400，其中后三位数字代表工作频率。
- 这个时候的内存直接固化在主板上，容量只有64 ～256KB。
- 尽管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题，但此时的CPU超频已成为DIY用户永恒的话题。
- 此类现象一般是由于主板与内存不兼容引起，常见于PC133内存条用于某些不支持PC133内存条的主板上，即使系统重装也不能解决问题。
- 牵手合肥长鑫兆易创新，美国Rambus真的在给国产存储雪中送炭？
- 同时有些无孔不入的JS也会采用打磨内存颗粒的作假手段，然后再加印上新的编号参数。
- Rambus整合HBM2E控制器与物理层：1024位总线 3.2Gbps速率 渴望内存带宽的 ASIC 开发者们，一定对 Rambus 的最新研发进展感到欣喜不已。
不过需要注意的是，对于大品牌内存来说SPD参数是非常重要的，但是对于杂牌内存来说，SPD的信息并不值得完全相信。 SPD信息可以说非常重要，它能够直观反映出内存的性能及体制。 它里面存放着内存可以稳定工作的指标信息以及产品的生产，厂家等信息。 一般常见的内存颗粒厂商有三星、现代、镁光、南亚、茂矽等，它们都是经过完整的生产工序，因此在品质上都更有保障。 而采用这些顶级大厂内存颗粒的内存条品质性能，必然会比其他杂牌内存颗粒的产品要高出许多。 内存颗粒的好坏直接影响到内存的性能，可以说也是内存最重要的核心元件。
因此SRAM难以成为大容量的主存储器，通常只用在CPU、GPU中作为缓存，容量也只有几十K至几十M。 但这种重定位功能在当今高档机器中不再使用，而把这部分物理存储器保留作为Shadow存储器。 Shadow存储器可以占据的地址空间与对应的ROM是相同的。 Shadow由RAM组成，其速度大大高于ROM。 我们把它称为高端内存区HMA（High Memory Area）。 因此要使用HMA，必须要有物理的扩展存储器存在。
EMS存储器也按16KB分页，每次可交换4页内容，以此方式可访问全部EMS存储器。 采用1.2V工作电压，内存数据位宽64位， 16位数据预读取。 工作频率最高可达4266 MHz，单根DDR4内存的数据传输带宽最高为34 GB/s。 (Synchronous Dynamic RAM，同步动态随机存储器)采用3.3V工作电压，内存数据位宽64位。
SDRAM PC133内存的带宽可提高到1064MB/S，加上Intel已开始着手最新的Pentium 4计划，所以SDRAM PC133内存不能满足日后的发展需求。 不少用户将品牌好的PC100品牌内存超频到133MHz使用以获得CPU超频成功。 为了方便一些超频用户的需求，市场上出现了一些PC150、PC166规范的内存。
而DDR400内存成为目前的主流平台选配，双通道DDR400内存已经成为800FSB处理器搭配的基本标准，随后的DDR533 规范则成为超频用户的选择对象。 自Intel Celeron系列以及AMD K6处理器以及相关的主板芯片组推出后，EDO DRAM内存性能再也无法满足需要了。 内存技术必须彻底得到革新才能满足新一代CPU架构的需求，此时内存开始进入比较经典的SDRAM时代。 EDO DRAM（Extended Date Out RAM 外扩充数据模式存储器）内存，这是1991 年到1995 年之间盛行的内存条。
它是内存工作的基础频率，其他频率都是建立在它基础之上的。 我们通常购买或升级的内存条就是用作电脑的内存，内存条（SIMM）就是将RAM集成块集中在一起的一小块电路板，它插在计算机中的内存插槽上，以减少RAM集成块占用的空间。 目前市场上常见的内存条有4G,8G,16G,32G等。 随机存储器（Random Access Memory）表示既可以从中读取数据，也可以写入数据。 ROM表示只读存储器（Read Only Memory），在制造ROM的时候，信息（数据或程序）就被存入并永久保存。 这些信息只能读出，一般不能写入，即使机器停电，这些数据也不会丢失。
在AMD与Intel的竞争中，这属于频率竞备时代。 这时CPU的主频不断提升，Intel为了盖过AMD，推出高频PentiumⅢ以及Pentium 4 处理器。 1991 年至1995 年期间，内存技术发展比较缓慢，几乎停滞不前。 我们看到此时EDO DRAM有72 pin和168 pin并存的情况，事实上EDO内存也属于72pin SIMM 内存的范畴。 那时的内存芯片容量都特别小，最常见的莫过于256K×1bit、1M×4bit。 虽然如此，但对于那时的运算任务来说却绰绰有余了。
在选配内存时，应尽量挑选与CPU的时钟周期相匹配的内存条，这将有利于最大限度地发挥内存条的效率。 SDRAM内存条有双面和单面两种设计，每一面采用8颗或者9颗(多出的一颗为ECC验) SDRAM芯片。 内存条通常有 64MB、128MB、256MB等容量级别。 从这个级别可以看出，内存条的容量都是翻倍增加的，也就是若内存条容量为512MB，则意味着再往下发展就将为1024MB了。 在SIMM和DIMM接口类型的内存条上，多个RAM芯片焊在一块小电路板上，通过专用插座装在主板或内存扩充板上，因此它们也可以看作是一个内存芯片。
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