DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM）：為雙通道同步動態隨機存取記憶體，是新一代的SDRAM技術。 別於SDR（Single Data Rate）單一周期內只能讀寫1次，DDR的雙倍數據傳輸率指的就是單一周期內可讀取或寫入2次。 在核心時脈不變的情況下，傳輸效率為SDR SDRAM的2倍。 第一代DDR記憶體Prefetch為2bit，是SDR的2倍，運作時I/O會預取2bit的資料。 舉例而言，此時DDR記憶體的傳輸速率約為266～400 MT/s不等，像是DDR 266、DDR 400都是這個時期的產品。
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用戶可能不知道為什麼，但是由於內部的這種進步，他們在2014年的性能會有所提高。 當您在評估記憶體需求時，請考慮三件事：作業系統的最低記憶體需求、主機板通道架構需求 (是否需要安裝 2 或 4 件套組)，以及您常使用的應用程式記憶體需求。 如果想知道您的電腦應該要使用哪種記憶體，請利用 Crucial®Advisor™ 工具或系統掃描器工具。 這些工具將幫助您判斷您的電腦與哪一些記憶體模組相容，同時呈現您的速度需要和預算選擇。
答：2009年以前，當時的主流作業系統是XP 32位元，XP ddr4記憶體 32位元記憶體最多只能用到3.25G左右，再上去系統也抓不到。 這樣你就可以知道目前記憶體的容體，已經用了幾%，也能知道目前插了幾條(插槽)，最多能插幾條，也能看到記憶體的速度。 如果是要做記憶體超頻，建議要有散熱片比較保險，否則有沒有散熱片沒差，大部份的記憶體都是沒有散熱片的，我通常是用沒有散熱片的版本。 記憶體的延遲時間是指記憶體讀寫資料的反應時間，例如CL8是指記憶體讀取資料的延遲時間為8個時脈週期。 一般DDR3的延遲時間為5~11，DDR4為16，DDR5為40，這個數字對記憶體效能影響不大，在選購時都是忽略不計。 答：理論上是的，你買到2666就好，但因為目前2666反而比較少，大都是3200，價格也差不多，所以你就買3200的吧，都相容。
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而後，Intel與Rambus聯合推出Rambus DRAM，但由於成本高昂、頻率高、效率低等問題尚未全面普及開來。 這次簡單地為讀者們介紹了記憶體的發展簡史，希望大家能夠對這項重要的儲存、傳輸元件有一個初步的瞭解，相信日後對你在記憶體超頻，或是研究固態硬碟的顆粒組成，可以有一個基本的認識。 由於目前Z97消費級平臺仍採用DDR3模組，而X99旗艦級平臺則採用新一代DDR4模組。
DDR 是繼 SDRAM 之後的下一代產品，於 2000 年推出。 與先前的單倍資料速率記憶體相比，它能達到更好的頻寬和速度。 DDR 在時脈信號的上升與下降期皆會向處理器傳輸資料，代表每週期會傳輸兩次。 雙倍資料速率記憶體同時使用上下波型傳輸資料，相較於僅使用單邊波型之單倍資料速率記憶體明顯速度更快。 SDRAM 於 1988 年為了因應其他電腦元件速度的提升而研發。
2007年開始就有DDR4標準的一些早前資訊被公開，2008年8月份於舊金山舉行的英特爾開發者論壇（IDF）上，一位來自奇夢達的出席演講嘉賓提供更多關於DDR4的公開資訊。 當年關於DDR4的描述中，DDR4將使用30奈米製程、1.2伏的運行電壓、常規匯流排時脈速率在2133MT/s而「發燒級」的有3200MT/s、在2012年推出市場、在2013年它的運行電壓將改進至只有1伏。 ※ 本服務提供之商品價格 、漲跌紀錄等資訊皆為自動化程式蒐集，可能因各種不可預期之狀況而影響正確性或完整性， 僅供使用者參考之用，本服務不負任何擔保責任。 圖 / 胖達非常看好英特爾與美光所開發出來的3D XPoint技術，其儲存的資料比 DRAM 高出十倍，讀寫速度與耐受度更是 NAND 型快閃記憶體的 1 千倍之多，簡直就是外星科技的火力展示。
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Crucial DDR5 記憶體推出時的運作速度即可達 4800MT/s，為目前 DDR4 標準最高速度的 1.5 倍。 而且，在效能提升的前提下，還比DDR3 SDRAM擁有更好的功耗表現，得益於更高的記憶體顆粒製程以及DDR4只有1.05V至1.2V的供電電壓（DDR3的為1.2V至1.65V），最大電流值僅和DDR3相當。 對於伺服器市場，還提供Banks切換特性，但也就這樣使得伺服器用DDR4記憶體與電腦版本的DDR4記憶體從物理層面上就無法互用。 隨著巨量資料爆發式增長，對算力的要求日益提高，記憶體也隨之朝向更高容量、更快速度、更低能耗、更小尺寸等方向不斷發展。 為滿足日趨複雜多元的市場需求，業界始終在尋求DDR記憶體性能、容量與功耗等方面的平衡。
- 某日午餐過後，施教授看到同事點了一塊蛋糕當甜點，中間層塗了一層可口的奶油，此時大師腦中的蘋果突然掉下來，想到何不在MOSFET中間加一層很薄的金屬層（也就是所謂的浮動閘）。
- 如果你是一般使用者，建議不要去超頻，你為了超頻還要特地買可超頻的記憶體，就算真的讓你超上去了，你也感覺不出來有沒有比較快，但你又會擔心超頻影響壽命的問題。
- 最後，胖達測試了新舊兩代旗艦在Sandra密碼學頻寬的效能表現，搭載Core i7-5960X的X99平臺得分為10.89，而Core i7-4960X的X79平臺得分為7.62。
- 相信大家對於DDR4最感興趣的，莫過於速度與容量上的提昇。
- 除此之外，記憶體技術各領域的應用，諸如：數位相機、隨身碟、手機等，皆對人類文明的發展，有著更上一層樓的突破。
- 這也意味著，DDR3記憶體即將退場，而DDR5記憶體將進入放量增長的黃金發展期，生態系統也將進一步完善。
- 據Yole預測，2022年開始，DDR5記憶體市場將從伺服器市場切入，不斷擴展至手機、筆記型電腦和PC等主流市場。
簡單來說，SRAM和DRAM一樣，都是由電晶體組成，通路代表1，斷路代表0，但是SRAM 對稱式的電路結構設計，使得每個記憶單元內所儲存的數值，都能夠以比 DRAM 還要快的速率被讀取。 除此之外，由於 SRAM 多數都被設計成一次讀取所有的資料位元（Bit），比起DRAM在高低位址間的資料交互讀取，SRAM在工作效率上快上許多。 像0101和1001就是兩種不同的變化，因此四個位元總共有24種組合，也就是有0 ~ 15共計十六種變化。 雖說四個位元已經超過了十進位中0到9，總計十種字元的需求，但科學家卻也因此順水推舟，發展出一套十六進位的系統，將每個位元善加利用。 如果我們把位元想像成電燈，那麼一個電燈的開與關，可用（0，1）作為描述符號；但如果要讓以無數電路組成的電腦，模擬出人類慣用的十進位數字規則（0 ~ 9），單只有一個位元是不夠的，至少必需要四個位元才足夠涵括。
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(上網、打字、看影片)，記憶體4G也能用，但一般來說建議直接一條8G，一勞永逸，也就是說目前記憶體最少就是裝8G以上。 記憶體模組透過與 CPU 同步而得知確切的時脈週期，且 CPU 並不會在記憶體存取的間隔時間加以等候。 另外，3個晶片層選取訊號（C0、C1、C2），允許最多8個堆疊式晶片層封裝於一塊DRAM封裝上。 這可以更有效地充當3個以上的bank單元選取位元，使選取總數達到7（可以定位128個bank單元）。 另外，A12被用作請求突發突變（burst chop）：在 4 transfers 進行以後截斷一個 8-transfer 突發。 儘管直到8個傳輸時間過去之前bank仍然處於忙碌狀態並且其他命令不可用，不同的bank可供存取。
瞄準手機遊戲與掌上型遊戲機，創見極速效能microSDXC 340S記憶卡符合最新一代A2速度等級，主打優異的隨機讀寫效能，適合處理小檔案的隨機讀寫，並可加速app開啟的時間。 既然使用的顯示卡是 2080 Ti，遊戲畫質當然都設定在 4K，而且是預設的最高品質。 首先 TechSpot 先提供一些知名遊戲會使用多少 RAM 的觀察圖，我也把幾個比較重要的列出來。 組 遊戲電腦 時，雖然最重要的關鍵是顯示卡，等級越高能帶來的遊戲體驗相對也更好，但 RAM 記憶體也是缺一不可的硬體。
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每個模組擁有 288 個針腳，而非以往的 240 個針腳。 DDR4 模組上的鍵位槽口和 DDR3 模組上的鍵位槽口，兩者位處不同的位置。 雖然這兩個槽口都位於插入端上，但 DDR4 上的槽口位置有點不同，這是為了避免將模組安裝至不相容的主機板或平台中。 DDR4 能達到每針腳 2Gbps 以上的速率，且耗電量低於 DDR3L (省電型 DDR3)；DDR4能降低整體運算環境的電壓，讓效能及頻寬能力增加多達 50%。 因此不僅比先前的記憶體技術還要出色許多，而且能節省電力多達約 40%。
於是發展出雙倍資料速率 ，而前一代的技術則被稱為單倍資料速率或 SDR 技術。 DDR 記憶體在時脈信號的上升與下降期皆會向處理器傳輸資料。 除了效能達到最佳化、運算成本低且更環保，DDR4也增強了信號完整性，並支援所有的 RAS 功能；同時也藉由提供循環冗餘核對 功能改善資料傳輸的可靠性、其晶片上的同位偵測功能，更提升了系統運行中「命令與位址」傳輸作業的完整性。 對於最新的DDR5標準，與DDR4相比，DDR5在性能、容量和功耗上都有著大幅度提升。
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此外，在Sandra緩存與記憶體測試項目中，搭載Core i7-5960X的X99平臺得分為337.83，而Core i7-4960X的X79平臺得分為243.12。 ddr4記憶體 換言之，DDR4在X99平臺上，領先DDR3在X79上的效能幅度高達38.96％。 圖 / 透過TSV矽穿孔技術，得以將多個矽晶圓串接起來，最終在3DS堆疊封裝製程下，晶片的發熱量更小、容量更大。 ddr4記憶體 ddr4記憶體 在DDR4中，實現3DS堆疊製程的關鍵推手，則是矽穿孔技術（TSV，Through ddr4記憶體 Silicon Via）。
而FPRAM最大的問題在於時脈頻頸為66 MHz，跟不上中央處理器的工作速度，因此，隨著處理器的進化，FP RAM也隨著成為昨日黃花，消逝在歷史的洪流裡。 雖然這些都是 DDR（雙倍資料速率）型記憶體，其數字差異代表記憶體速度不同，以及記憶體世代上的不同。 在研究資料率或電腦速度（每週期傳輸量）時請注意，系統只能支援特定類型的記憶體。 這正是為什麼在尋找可相容安裝於系統中的記憶體時，使用 Crucial Advisor™ 工具或 Crucial 系統掃描器很重要的原因。
舉例而言，PC66 SDRAM以66 MT/s的傳輸速率運作；PC100 SDRAM以100 MT/s的傳輸速率運作；PC133 SDRAM以133 MT/s的傳輸速率運作，以此類推。 創見工業級隨身碟JetFlash 280T採用96層3D快閃記憶體與高速USB 3.1 Gen 1傳輸介面，輕巧的尺寸與高相容性適合行動儲存相關應用，優異的效能與耐用度滿足醫療、軍事、工業自動化等應用的嚴苛需求。 JetFlash 280T可與創見UFD Security Toolbox加密軟體搭配使用，執行密碼加密設定，亦可透過簡訊將一次性密碼傳至特定手機門號，進行隨身碟解鎖，資料安全更穩固。 DDR4是最新一代的RAM，可為計算設備提供更高的速度和效率。 DDR4是“第四代雙倍數據速率”的縮寫，預計將於2014年在智能手機，平板電腦和台式計算機市場上首次亮相。
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☆因刮傷、受潮、撞擊、泡水、拉扯等過度使用所造成之損壞。 SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）：為同步動態隨機存取記憶體，字首的Synchronous告訴了大家這種記憶體的特性，也就是同步。 1996年底，SDRAM開始在系統中出現，不同於早期的技術，SDRAM是為了與中央處理器的計時同步化所設計，這使得記憶體控制器能夠掌握準備所要求的資料所需的準確時鐘週期，因此中央處理器從此不需要延後下一次的資料存取。
1.1V即可，這邊我們暫不討論關於超頻時所需電壓，畢竟不同的超頻頻率所需的電壓會有所調整，那是另外一門學問。 4266MHz這個頻率的顆粒出現，小編還未收到相關訊息，能確定的是，這是一件值得讓人高興和期待的事，初始的標準型產品即已超越基礎定義，那麼超頻的部分相信能有更不一樣的發揮空間，值得我們去挖掘。 在「系統」下方和處理器型號下面是安裝的記憶體數量會以 MB (百萬位元組) 或 GB (十億位元組) 為測量單位。 答：這種2條裝的雙通道記憶體跟使用者自己插2支跑雙通道，就速度上來說是一樣的，除非你有記憶體超頻需求，否則建議是買單條裝的就好，如果是2條裝的雙通道的記憶體，萬一以後其中一條故障必需2條一起送修，麻煩。 開機後佔用3G，把常用的軟體全部打開後目前共用了7.4G(佔47%)，也就是說，這一台雖然還能再插2條記憶體，但你加了其實對電腦的效能來說幫助不大，因為目前只佔47%。
起始資料傳送率由2133MT/s起跳，上限暫定為4266MT/s。 根據英特爾的說法，3D XPoint以類3D架構之姿，將記憶體單元層層堆疊，而由於這些單元是被擺在電路中間，因此的確能夠設計出一個多層架構，把單元與電路依序堆疊起來。 英特爾也預計今年下半年就能將 3D XPoint 記憶體原型配送給企業夥伴，產品將在 2016 年問世，希望胖達明年就有測試的機會，再和讀者們一起分享。 最後，胖達測試了新舊兩代旗艦在Sandra密碼學頻寬的效能表現，搭載Core i7-5960X的X99平臺得分為10.89，而Core i7-4960X的X79平臺得分為7.62。 換言之，新旗艦Core i7-5960X效能領先幅度高達42.91％。
對於作業系統和一些應用程式來說，4GB ddr4記憶體 或 8GB 可能足夠，但無法在不影響效能的情況下，同時開啟多個應用程式和大型檔案。 中階配置可能需要雙倍的記憶體，而高階遊戲系統和工作站則需 16GB 或 16GB 以上才能執行順暢。 2014年4月，海力士宣布他們已經開發出世界上首支並且儲存密度最高的128GB的DDR4 SDRAM記憶體模組，基於使用20奈米製程級別的8Gb DDR4顆粒。 該模組工作於2133MT/s，位寬64位元，資料頻寬為17GB/s。 海力士預計2015年開始DDR4 SDRAM投入商業化，2016年將成為主流標準。 對於DDR5記憶體標準，JEDEC固態技術協會將其視為具有革命意義的記憶體架構。
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而這些鍵盤中常用的各種符號字元接近兩百五十六種，因此，很自然地我們便以八位元（2的8次方＝256）當成一個組合，稱之為位元組（Byte），成為資料傳輸的基本單位。 換句話說，你無法單獨存取1 bit的數據或者任意小於一個位元組的資訊。 西元1958年對電腦來說是一個轉捩點，基爾比與諾義斯兩人創作出積體電路，將原本體積龐大、笨重的繼電器電路，轉化成模組化微晶片模式，透過積體電路上電流的通過與否，這兩種相反的狀態來表示0與1，也就是不通電代表0，而通電代表1。 自此，每一條電路，都可以記錄成0與1兩種狀態變化（Binary Digit），而摘自Binary的B結合Digit的it，我們就定義命名積體電路工作時的數據資料為Bit，也就是今天眾人耳熟能詳的位元。
