通常不用修改，默认值结合POSCAR和POTCAR自动计算体系价电子数。 若要实现体系带电，则可控制此参数实现，在总电子数目基础上减少n个电子，则体系带n个电荷正电，反之是带负电。 在计算表面吸附(物理吸附) ; 弱相互作用占体系能量比例较大的体系,如分子晶体、层状结构体系时,要使用此参数。 过渡金属体系、带真空层的体系，设置了自旋极化的体系，此数值需要增加到200，300等。 如果仍不能收敛，不建议继续提高此数值，需要尝试调整其他参数达到收敛的目标。
一般设置为1E-5~1E-6，意为两次能量差小于设定的收敛标准，则自洽迭代结束，判定体系收敛。 0：高斯方法(高斯展宽)，适用于导体、半导体和绝缘体，或不清楚体系的导电性质时使用。 Tips：LDA、GGA等交换相关泛函通常会低估带隙，通过设置此参数可以得到更接近于真实值的带隙计算结果。 Tips：推荐设置为POTCAR（赝势文件）中参数ENMAX值的1.0-1.3倍，从而兼顾计算的精度与效率。 在计算出现问题时能否向正确的方向调整参数，而不是向错误的方向越走越远，最终浪费了大量的计算资源和我们最宝贵的时间。 Tips：三维结构可以收敛到-0.01~ -0.03 eV/埃，低维体系可以收敛到- 0.03~0.05eV/埃。
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